Samsung i AMD łączą siły. Nowa pamięć HBM4
Samsung Electronics oraz AMD oficjalnie zacieśniają współpracę w segmencie rozwiązań pamięci dla sztucznej inteligencji.
Podpisany w Korei Południowej protokół ustaleń (MOU) zapowiada dostawy najnowocześniejszych układów, które napędzą kolejne generacje procesorów i akceleratorów graficznych.
Z punktu widzenia branży sprzętowej najważniejszym elementem porozumienia jest zabezpieczenie przez AMD dostaw zaawansowanych pamięci HBM4. Trafią one bezpośrednio do akceleratorów sztucznej inteligencji nowej generacji, noszących oznaczenie AMD Instinct MI455X. Staną się one również fundamentem dla architektury serwerowej AMD Helios.
Ekstremalna przepustowość i proces 10 nm
Udostępnione przez producenta dane techniczne pokazują ogromny skok wydajności. Pamięć HBM4 od Samsunga opiera się na dwóch kluczowych technologiach:
- Wykorzystano proces technologiczny klasy 10 nm szóstej generacji (oznaczany jako 1c).
- Zastosowano 4-nanometrową matrycę bazową układu logicznego.
Dzięki temu nowe moduły osiągają prędkość przetwarzania na poziomie 13 gigabitów na sekundę (Gbps). Imponująco prezentuje się również maksymalna przepustowość, która wynosi aż 3,3 terabajta na sekundę (TB/s). Takie parametry są krytyczne przy obsługiwaniu, trenowaniu i wnioskowaniu na potężnych modelach sztucznej inteligencji.
DDR5 dla procesorów z rodziny „Venice”
Współpraca obu gigantów wykracza jednak poza same akceleratory graficzne. Firmy zapowiedziały również optymalizację i dostawy zaawansowanych modułów pamięci DDR5. Zostaną one sparowane z nadchodzącymi, serwerowymi procesorami 6. generacji AMD EPYC, które obecnie rozwijane są pod kryptonimem „Venice”.
Samsung wycofuje potrójnie zginany smartfon. Decyzja po trzech miesiącach
