Samsung kładzie pamięć bezpośrednio na procesorach. Nadchodzi architektura zHBM dla sztucznej inteligencji
Wraz ze wzrostem złożoności modeli sztucznej inteligencji, fizyczny dystans między procesorem a pamięcią na płycie głównej staje się największym wąskim gardłem.
Samsung podczas konferencji FMS 2026 zaprezentował rozwiązanie tego problemu: koncepcyjną architekturę zHBM, w której moduły pamięci będą układane piętrowo bezpośrednio na akceleratorach AI.
Pamięć na procesorze zamiast obok
Obecnie stosowane pamięci HBM (High Bandwidth Memory) montuje się obok procesorów. Model zHBM całkowicie zmienia ten układ. Umieszczenie pamięci bezpośrednio nad układem obliczeniowym skraca fizyczną drogę, jaką muszą pokonać dane.
Dla serwerów trenujących modele AI oznacza to znaczny skok wydajności. Według deklaracji producenta, nowy system ma zapewniać do ośmiokrotnie wyższej wydajności na GPU niż standard HBM5. Co więcej, takie ułożenie ma zaoferować trzykrotnie wyższą efektywność energetyczną i zredukować o ponad połowę rezystancję termiczną, co ułatwi chłodzenie gęsto upakowanych klastrów obliczeniowych.
Przebicie bariery 400 warstw w układach NAND
Koreański producent poinformował również o stworzeniu pierwszych pamięci masowych V10 BV-NAND, które składają się z ponad 400 warstw.
Udało się to osiągnąć dzięki technologii łączenia gotowych płytek półprzewodnikowych (wafer bonding). W praktyce przekłada się to na wzrost gęstości zapisu danych o 58 proc. w porównaniu do poprzedniej generacji V9. Oprócz oszczędności miejsca w serwerowniach, nowe kości mają zaoferować zauważalnie szybsze prędkości odczytu i zapisu (I/O).
Pływające centra danych nowym pomysłem na kryzys AI. Samsung przenosi serwery na wodę
Przetwarzanie bezpośrednio w kości pamięci
Na targach zaprezentowano również koncepcyjne układy zNAND-O (w wersjach 4- i 8-warstwowych), które zoptymalizowano pod kątem środowisk Edge AI, gdzie kluczowe są jak najniższe opóźnienia i natychmiastowe wnioskowanie z danych (np. w systemach analizujących obraz w czasie rzeczywistym).
Uwagę zwraca także technologia LPDDR5X-PIM. To pamięć operacyjna wyposażona w rozwiązanie Processing-in-Memory. Oznacza to, że układ potrafi wstępnie przetwarzać dane bezpośrednio w samej pamięci, zamiast przesyłać je wszystkie do głównego procesora. To kolejny sposób na odciążenie magistrali danych i zmniejszenie zużycia prądu.
Samsung łączy w ten sposób swoje kompetencje z różnych dziedzin. Firma wykorzystuje zaplecze pozwalające na jednoczesne projektowanie pamięci, produkcję zaawansowanych układów scalonych (foundry) i ich ostateczne pakowanie w kompletne, trójwymiarowe podzespoły dla centrów danych.
